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BGA技术发展史
2024-07-01
芯片的封装技术经历了几代变革,从DIP、QFP、PGA、BGA到CSP再到MCM。技术指标代代相传,包括芯片面积与封装面积之比逐渐接近1,适用频率越来越高,耐温性能越来越好,引脚数量增加,引脚间距减小,重量减小,可靠性提高,使用更加方便。
自20世纪70年代以来的趋势是双列直插式封装,缩写为DIP。20世纪80年代出现了芯片载体封装,包括陶瓷无引线芯片载体LCCC、塑料引线芯片载体PLCC、小尺寸封装SOP和塑料四面平板封装PQFP。
直到20世纪90年代,随着技术的进步和芯片集成度的不断提高,I/O引脚数量急剧增加,功耗也随之增加,对集成电路封装的要求也更加严格。随着集成技术的进步,设备的改进以及深亚微米技术的使用,LSI,VLSI和ULSI相继出现。硅单芯片的集成度不断提高,对集成电路封装的要求更加严格。I/O引脚的数量急剧增加,功耗也相应增加。为了满足发展的需要,在原有封装品种的基础上增加了一个新的品种,即球栅阵列封装 (BGA)。
自出现以来,BGA已成为cpu和南北桥等VLSI芯片的高密度,高性能,多功能和高I/O引脚封装的最佳选择。
英特尔公司将陶瓷针栅阵列封装CPGA和陶瓷球栅阵列封装CBGA用于具有高集成度 (每个芯片超过300万个晶体管) 和高功耗的CPU芯片,例如Pentium,Pentium Pro和Pentium II。微型排气风扇安装在外壳上以散热,从而实现稳定可靠的电路运行。
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芯片的封装技术经历了几代的变革,从DIP、QFP、PGA、BGA到CSP再到MCM,一代又一代的技术指标越来越先进
对于每个BGA,可以分别优化其工艺参数,以获得使用每种形式时预期的最佳热响应。
BGA器件的封装结构根据焊点的形状可以分为两种: 球形焊点和柱状焊点。球形焊点根据封装材料分为陶瓷球栅阵列
芯片内部分析的结果表明,BGA的失效是由于芯片内部的局部层间击穿现象